Лазерная установка ПИКО-4

Печать

pico4 Лазерная установка ПИКО-4 предназначена для исследования эффектов от отдельных заряженных частиц (ОЗЧ) в интегральных микросхемах (ИС) и полупроводниковых приборах (ПП). Источник пикосекундных лазерных импульсов с перестраиваемой длиной волны позволяет моделировать ионизационные треки от воздействия частиц с глубиной проникновения в ПП, использующих полупроводниковые материалы с различной шириной запрещенной зоны.  

В состав лазерной установки ПИКО-4 входят: твердотельный пикосекундный лазер с диодной накачкой, оптический параметрический генератор (ОПГ), высокоточная, управляемая с ПК система позиционирования и специализированный промышленный микроскоп с большим разрешением. Система может генерировать последовательность импульсов с длинами волн в диапазонах 700…1000 и 1150...2200 нм. Использование диапазона 1150...2200 нм позволяет применять методику двухфотонного поглощения для исследования эффектов от ОЗЧ. Лазерный источник может работать при частоте повторения до 1000 Гц или в режиме одиночных импульсов.

Лазерные импульсы фокусируются микроскопом на исследуемом объекте. Камера, установленная на микроскопе, показывает расположение лазерного луча. Предусмотрено использование микрообъективов Mitutoyo® с большим рабочим расстоянием (с увеличением от 5× до 100×), размер пятна фокусировки падающего на исследуемый объект лазерного луча может изменяться в пределах от приблизительно 2,5 до 200 микрон.

Для определения чувствительных к радиации областей, исследуемые приборы сканируются под лазерным пучком. Использование быстродействующих цифровых осциллографов, регистраторов и логических анализаторов (не входят в состав системы) позволяет регистрировать отклик исследуемого прибора на заряд, сгенерированный в полупроводниковом материале падающим на него лазерным импульсом.

Пороги эффектов воздействия ОЗЧ можно определить, используя метод локального облучения.

  Особенности

·      Современный и надежный источник на основе твердотельного лазера с диодной накачкой и ОПГ
·      Длины волн в пределах 700…1000 нм и 1150…2200 нм
·      Частота повторения импульсов изменяется от 1000 Гц до одиночных импульсов
·      Прецизионная система сканирования объектов
·      Микрообъективы высокого разрешения Mitutoyo® с большим рабочим расстоянием
·      Точная синхронизация сканирования, облучения и регистрации
·      Компактная конструкция, установленная на оптической плите размерами 1000х1200 мм
·      Управление при помощи ПК с доступным интерфейсом
·      Небольшие затраты на обслуживание

  Применения

·      Исследования:
       −        одиночных сбоев
       −        тиристорного эффекта
       −        одиночных переходных процессов
·      Проверка методов повышения радиационной стойкости
·      Тестирование радиационно-стойких исполнений
·      Локализация чувствительных областей ИС с учетом условий эксплуатации и режимов функционирования
·      Исследование катастрофических отказов в ИС из-за тиристорного эффекта
·      Отработка методик тестирования ИС с использованием ионных пучков
·      Тестирование микросхем на печатных платах
·      Прецизионная лазерная технологическая обработка

  Спецификация

  

Параметр

Единицы

Значение

Тип лазерного источника

Пикосекундный Nd3+:YAG + ОПГ

Перестройка длины волны

нм

700 … 1000 и 1150...2200 

Максимальная энергия импульса на объекте  

мкДж

11,5

Длительность лазерного импульса (FWHM)

пс

25

Стабильность энергии лазерного импульса

%

± 5

Минимальный размер пятна (1/e2)

мкм

<3 (для микрообъектива 20×)

Коэффициент ослабления

1 … 5∙104, управляется с ПК

Частота повторения импульсов

Гц

0 … 1000

Видеокамера:

Тип

Разрешение

Частота кадров при максимальном разрешении

Пространственное разрешение

Тип интерфейса

 

пикс

Гц

мкм/пикс

 

Color CCD progressive

1392 × 1040

17

0,3 (для микрообъектива 20×)

IEEE 1394a

Микрообъективы (стандартный набор):

Тип

Увеличение:

20×

 

 

 

шт.

шт.

 

Mitutoyo Plan APO NIR

 

1

1

Система позиционирования объекта:

Трёхкоординатная система перемещения

Минимальный шаг (по горизонтали; по вертикали)

Диапазон перемещения (по горизонтали; по вертикали)

Максимальная линейная скорость

 


мкм


мм

мкм/с

 

Моторизованная,  управляется ПК


0,156; 0,125


100; 25

500

Габаритные ограничения:

Максимальный размер объекта

Рабочее расстояние до объектива

 

мм

мм

 

400

20 (для микрообъектива 20×)

Охлаждение

Воздушное конвекционное

Общий размер

мм

1200×1000×800

Источник питания:

Тип сети

Максимальная потребляемая мощность (не включая питание ПК)

Размеры

 

кВт

 

­­мм

 

~ 220 В, 50 Гц

< 1,2

 

365х392х290

Язык ПО

Русский, Английский

ПРИМЕЧАНИЕ: Все спецификации могут изменяться без специального уведомления