АО "ЭНПО СПЭЛС"

Выбор языка:

Конференция MIEL2017 "30th International Conference on Microelectronics", Nis (Serbia)

E-mail Печать PDF

image001 В период с 09.10.17 по 11.10.17 представители АО «ЭНПО СПЭЛС» (Никифоров А.Ю., Белова М.П., Московская Ю.М.,  Шмаков С.Б., Лоскутов И.О. Шемонаев А.Н. Можаев Р.К.) приняли участие в 30ой международной конференции «MIEL-2017» с докладами и стендами.

Конференция проводилась в городе Ниш (Niš), Сербия и была организована секцией IEEE Сербии и Черногории (IEEE Serbia and Montenegro Section - ED/SSC Chapter), в сотрудничестве с филиалом Сербской Академии Науки и Искусства (Serbian Academy of Science and Arts - Branch in Niš), и  Факультетом Электронной Инженерии Университета города Ниш  (Faculty of Electronic Engineering, University of Niš). Основные направления работы конференции: Device Physics, Technology and Testing; Circuits Design and Testing, System Design and Testing.

Всего на конференции было заявлено более 70 докладов. Программа конференции.

Работа конференции проходила в течение 3 дней и включала в своем составе секции, посвященные вопросам разработки устройств и систем микроэлектроники, разработке электронных устройств и их тестированию, физике полупроводниковых устройств и технологиям изготовления, новым технологиям и устройствам. 

Полный список представленных докладов от АО «ЭНПО СПЭЛС»:

1. Basic Trends in Electronic Components Product Range Development: Radiation Hardness Aspects. A.Y. Nikiforov, D.V. Boychenko, V.A. Telets, A.A. Smolin, V.V. Elesin, A.V. Ulanova, L.N. Kessarinskiy (устный доклад)

2. Analog ASIC TID Behavior in a Temperature Range. A.Y. Borisov, L.N. Kessarinskiy, M.M. Vanzha, M.P. Belova, Y.M. Moskovskaya, D.V. Boychenko, A.Y. Nikiforov, V.V. Enns (устный доклад)

3. Estimation Technique for LED Sensitivity to Structural Damage Based on Minority Carriers Lifetime Measurements. R.K. Mozhaev, M.E. Cherniak, A.V. Ulanova, A.Y. Nikiforov

4. Power Mosfetsingle Event Burnout Hardness Increasing by Neutron Preirradiation. L. Kessarinskiy, D. Boychenko, A. Nikiforov, A. Polokhov, T. Kritskaya, G. Davydov

5. Comparison of on-Chip ADC Testing Techniques. A.Yu. Egorov, I.A. Mozhaev, P.V. Nekrasov, D.V. Boychenko, I.O. Loskutov

6. SEFI Cross-section Evaluation by Fault Injection Software Approach and Hardware Detection. I.O. Loskutov, P.V. Nekrasov, I.I. Shvetsov-Shilovskiy, D.V. Boychenko, V.M. Uzhegov

7. FRAM Test Memory Cells Radiation Hardness Research. I.I. Shvetsov-Shilovskiy, A.B. Boruzdina, A.V. Ulanova, O.M. Orlov, Y.A. Matveev, D.V. Negrov

8. Investigation of Ionizing Transients by Femtosecond X-ray Source Ionization. M.P. Belova, L.N. Kessarinskiy, A.Y. Borisov, A.I. Chumakov, D.V. Boychenko, K.A. Ivanov, I.N. Tsymbalov, R.V. Volkov, A.B. Savel`ev

9. Optimal Laser Wavelengths for Transient Ionizing Response Simulation of CMOS SOI Devices with 0.24 mm Design rules. S.B. Shmakov, P.K. Skorobogatov, A.V. Ulanova, A.B. Boruzdina, G.G. Davydov, A.Y. Nikiforov

10. Total Ionizing Dose Hardness Nondestructive Individual Estimation and Predictive Grading for Silicon-on-insulator ICs. Y.M. Moskovskaya, G.G. Davydov, A.V. Sogoyan, A.Y. Nikiforov, I.B. Yashanin

11. Total Ionizing Dose Degradation of CMOS 8-transistor Image Sensor with Column ADC. M. Cherniak, A. Smolin, R. Mozhaev, A. Ulanova, A. Nikiforov

12. Process Parameters Variations Influence on CMOS IC’s Hardness to Total Ionizing Dose. Y.M. Moskovskaya, A.Y. Nikiforov, D.V. Bobrovskiy, A.V. Ulanova, A.A. Zhukov

13. The Prediction for Single Event Latchup Sensitivity Parameters of Digital CMOS ICs Based on Its Technological Features. A.E. Rudenkov, A.O. Akhmetov, D.V. Bobrovsky, A.I. Chumakov, A.V. Yanenko, V.M. Uzhegov

14. Flip-chip iCs See Testing Technique. D.V. Bobrovsky, A.A. Pechenkin, A.A. Novikov, A.I. Chumakov, N.V. Ryasnoy, Y.V. Churilin

15. Compendium of TID Influence on SEE Sensitivity Investigation. A.A. Novikov, A.A. Pechenkin, A.I. Chumakov, A.N. Tsirkov, M.P. Belova

16. Frequency Dependence of SEU in 0.18um Processor. V.A. Marfin, P.V. Nekrasov, I.O. Loskutov, A.Y. Nikiforov

17. Experiments on Electrical Overstress Influence on Digital ICs Depending on the Input/Output Port Configuration. A.N. Shemonaev, K.A. Epifantsev, P.K. Skorobogatov

18. The Specialized Pulse Voltage Generator EMI-0502. A.N. Shemonaev, K.A. Epifantsev, P.K. Skorobogatov

19. Design and Testing Issues of a High-Speed SoiCmoS Dual-modulus Prescaler for Radiation Tolerant Frequency Synthesizers. D.I. Sotskov, V.V. Elesin, K.M. Amburkin, G.N. Nazarova, N.A. Usachev, A.Y. Nikiforov

 
Навигация по сайту: Главная страница Новости Последние новости Конференция MIEL2017 "30th International Conference on Microelectronics", Nis (Serbia)